TÓM TẮT TÓM TẮT
Chọn hệ thống in thạch bản không mặt nạ (ghi{0}}trực tiếp) là một trong những quyết định chiến lược nhất đối với cơ sở phòng sạch tiên tiến. Trong khi công nghệ không khẩu trang giúp loại bỏ chi phí mua khẩu trang quang vật lý (tiết kiệm hàng nghìn đô la cho mỗi lần sửa đổi) và rút ngắn chu kỳ quay vòng thiết kế từ vài tuần xuống còn vài phút, thì việc lựa chọn thiết bị thường mắc phải sự hiểu lầm cơ bản về thông số kỹ thuật.
Các kỹ sư quy trình và nhóm mua sắm thường xuyên đánh giá máy móc chỉ dựa trên một con số "kích thước tính năng tối thiểu" duy nhất trên bảng dữ liệu của nhà cung cấp. Tuy nhiên, trong vật lý quang khắc, một Kích thước tới hạn (CD) bị cô lập và một khoảng cách tuần hoàn Đường/Không gian tối thiểu (L/S) dày đặc biểu thị các chế độ quang học hoàn toàn khác biệt:
• Kích thước tới hạn (CD) xác định tính năng cách ly hẹp nhất (chẳng hạn như cổng bóng bán dẫn cách ly hoặc dải tiếp xúc) mà hệ thống quang học có thể tiếp xúc trên chất quang dẫn.
• Đường/Khoảng cách tối thiểu (L/S) xác định mảng tuần hoàn đường và rãnh 1:1 lặp lại nhỏ nhất (chẳng hạn như cách tử quang dày đặc hoặc các bus liên kết mật độ- cao) mà hệ thống có thể xóa mà không bắc cầu, cặn hoặc biến dạng vùng lân cận.
Máy có khả năng in đĩa CD riêng biệt 0,4 μm có thể yêu cầu dòng/khoảng trống tối thiểu 0,8 μm khi tạo mẫu các mảng định kỳ dày đặc do hiệu ứng lân cận quang học của hình ảnh trên không, sự chồng chéo liều-của chùm tia và chống lại ngưỡng tương phản. Ngược lại, các hệ thống quang học chuyên dụng được thiết kế để điều chế đối xứng 1:1 có thể phân giải đồng thời 0,5 μm CD với đường/không gian 0,5 μm.
Hướng dẫn này cung cấp khung kỹ thuật nghiêm ngặt để đánh giá các hệ thống in thạch bản không mặt nạ của Nice{0}}Tech (MLM 100, MLM 200, MLM 400 và MLM 500) dựa trên các yêu cầu về hình dạng thiết bị chính xác, khả năng chống hóa học, độ sâu tiêu điểm (DOF) và thông lượng phòng sạch.
1. GIỚI THIỆU: TẠI SAO HÌNH HỌC LỰA CHỌN THIẾT BỊ
Trong phòng sạch chế tạo vi mô, hệ thống in thạch bản không mặt nạ (còn được gọi là in thạch bản-ghi trực tiếp, trình chiếu thiết bị vi gương kỹ thuật số [DMD] hoặc hệ thống điều biến ánh sáng không gian [SLM]) đã chuyển đổi quy trình tạo nguyên mẫu nhanh, chế tạo chất bán dẫn phức hợp và sản xuất khối lượng thấp-đến{2}}trung bình. Bằng cách loại bỏ mặt nạ quang học crom-trên-thạch anh vật lý, nhóm kỹ thuật có thể lặp lại bố cục thiết kế (tệp GDSII hoặc OASIS) trong thời gian thực.
Tuy nhiên, việc chọn đúng máy đòi hỏi phải xem xét-các tuyên bố tiếp thị ở cấp độ bề mặt. Khi những người mua tiềm năng hỏi về khả năng của thiết bị, câu hỏi phổ biến nhất chỉ đơn giản là: "Độ phân giải của chiếc máy này là bao nhiêu?"
Trong in thạch bản sản xuất, "độ phân giải" không phải là một con số. Một động cơ quang học hoạt động khác khi phơi bày một đường cô lập duy nhất so với việc phơi bày hàng trăm đường thẳng song song liền kề cách nhau vài micromet. Việc chọn cấu hình thiết bị dựa trên CD bị cô lập khi thiết bị của bạn yêu cầu các đường cách tử dày đặc chắc chắn sẽ dẫn đến lỗi xử lý-dẫn đến bắc cầu đường dây, chân đế hoặc tỷ lệ khung hình bị sập. Ngược lại, việc-chỉ định quá mức một hệ thống dành cho các đường dây phụ-nửa{6}}micron dày đặc khi thiết bị của bạn chỉ chứa các dấu vết định tuyến 1,5 μm sẽ làm tăng thêm chi phí vốn không cần thiết và làm giảm đáng kể thông lượng wafer.
Để thực hiện đầu tư vốn B2B sáng suốt, người mua phải phân tích sự khác biệt về mặt vật lý giữa CD và đường truyền/không gian, liên kết chúng trực tiếp với thông số kỹ thuật thiết bị của nhà cung cấp và đánh giá sự cân bằng-quang cơ bản.
2. SỰ PHÂN BIỆT QUAN TRỌNG: CD ĐỘC LẬP VS. ĐƯỜNG DÂY/KHÔNG GIAN DÀY
Để hiểu lý do tại sao các công cụ ghi-trực tiếp quang học báo cáo các giá trị khác nhau cho CD riêng biệt và dòng/không gian dày đặc đòi hỏi phải kiểm tra tính chất vật lý của sự hình thành hình ảnh trên không, hiệu ứng lân cận quang học và hóa học quang điện.
2.1 Kích thước tới hạn (CD) là gì?
Trong đo lường chất bán dẫn, Kích thước tới hạn đề cập đến phần tử hình học nhạy cảm nhất về chiều trong một mạch tích hợp hoặc thiết bị MEMS. Thông thường, CD đề cập đến một tính năng biệt lập:
• Một chốt cổng cách ly trên Transitor di động Gallium Nitride (GaN)-Điện tử{1}}cao cấp (HEMT).
• Một đường gờ dẫn sóng quang học bị cô lập trong mạch quang tử tích hợp.
• Một lỗ tiếp xúc cách ly hoặc bản lề đúc hẫng trong cảm biến MEMS.
Khi phơi sáng một đường cô lập trong hệ thống không có mặt nạ, động cơ quang học sẽ tập trung năng lượng phơi sáng vào một vùng quang điện hẹp. Bởi vì không có mẫu tiếp xúc liền kề nào ở vùng lân cận nên ánh sáng tán xạ đi lạc (vùy-bên nhiễu xạ) tiêu tan một cách vô hại vào trường tối. Bằng cách hiệu chỉnh chính xác liều lượng phơi sáng, khẩu độ số và thời gian phát triển, một hệ thống ghi trực tiếp-hiện đại có thể đạt được các giá trị CD tách biệt rất tốt-thường xuống tới 0,4 μm.
2.2 Dòng/Khoảng cách tối thiểu (L/S) là gì?
Ngược lại, Đường/Khoảng cách tối thiểu đề cập đến một mảng dày đặc gồm các đường và khoảng trắng xen kẽ, thường được định cấu hình theo tỷ lệ cao độ 1:1 (chiều rộng đường và khoảng cách rãnh bằng nhau):
• Cách tử nhiễu xạ quang học, tinh thể quang tử và gương laser phản hồi phân tán (DFB).
• Bộ cảm biến sinh học và mảng vi điện cực (MEA) mật độ cao-.
• Bước kim loại hóa dày đặc và định tuyến bus trong bao bì tiên tiến.
Khi một động cơ quang học chiếu nhiều chùm tia có khoảng cách gần nhau hoặc các pixel vi gương được điều chế, các sóng ánh sáng từ các đường liền kề sẽ chồng lên nhau do nhiễu xạ quang học. Nhiễu xuyên âm quang học này tạo ra "cường độ nền" tăng cao bên trong rãnh không được phơi sáng giữa các đường dây.
Độ tương phản quang học của hình ảnh trên không được xác định bởi Hàm truyền điều chế (MTF):
Độ tương phản=(I_max - I_min) / (I_max + I_min)
Khi cường độ tăng lên, I_min (cường độ trong không gian tối) tăng lên đáng kể trên 0 do hiệu ứng lân cận quang học. Nếu độ tương phản hình ảnh trên không giảm xuống dưới ngưỡng tương phản hóa học của chất quang dẫn, chất quang dẫn không thể phân biệt được giữa đường lộ sáng và rãnh không lộ sáng. Điều này tạo ra các lỗi phòng sạch cổ điển:
• Chống lại sự kết nối: Sự phát triển chưa hoàn thiện khi các tuyến liền kề hợp nhất với nhau.
• Chống cặn: Chất cặn quang còn sót lại trong nền rãnh.
• Sụp đổ mẫu: Lỗi cơ học của các đường điện trở dày đặc có tỷ lệ khung hình-{1}}cao trong quá trình sấy khô bằng dung môi.
2.3 Tại sao MLM 200 đạt được 0,4 μm CD nhưng 0,8 μm Đường/Không gian?
Một ví dụ điển hình về sự đánh đổi vật lý-này được thấy trong mô hình MLM 200 của Nice{1}}Tech:
• Kích thước tới hạn (Bị cô lập): 0,4 μm
• Đường/Khoảng cách tối thiểu (Dày đặc 1:1): 0,8 μm
Cấu hình tham số này phổ biến trong kỹ thuật in thạch bản ghi trực tiếp-có độ chính xác{1}}cao. MLM 200 sử dụng công cụ phân phối quang học tập trung có khả năng ghi các tính năng tách biệt cực tốt xuống đến 0,4 μm. Tuy nhiên, khi đặt các đường cạnh nhau-cạnh-trong lưới 1:1 dày đặc, hiệu ứng tràn khoảng cách quang học bắt buộc phải có khoảng cách tối thiểu là 0,8 μm để đảm bảo đủ độ tương phản quang học (I_max so với I_min) để xóa hoàn toàn rãnh mà không cần bắc cầu.
Đối với các nhà phát triển thiết bị nguồn RF tạo mẫu cổng GaN HEMT 0,4 μm với khoảng cách thoát nguồn-rộng (2 μm đến 5 μm), MLM 200 là tối ưu. Tuy nhiên, nếu cùng nhà phát triển đó cố gắng in cách tử dày đặc 0,4 μm / 0,4 μm (toàn bước 0,8 μm), độ tương phản quang học sẽ giảm, dẫn đến khả năng chống bắc cầu trừ khi hệ thống quang học được tối ưu hóa đặc biệt cho mảng 1:1 dày đặc được chọn.
2.4 Tại sao MLM 500 đạt được 0,5 μm CD và 0,5 μm Đường/Không gian đối xứng?
Ngược lại, các tính năng MLM 500 của Nice{0}}Tech:
• Kích thước tới hạn (Bị cô lập): 0,5 μm
• Đường/Khoảng cách tối thiểu (Dày đặc 1:1): 0,5 μm
MLM 500 kết hợp hệ thống trình chiếu-số-khẩu độ cao (cao-NA) kết hợp với khả năng điều chế ánh sáng không gian tiên tiến và bù-pixel phụ. Cấu hình quang học này duy trì độ tương phản MTF cao ngay cả ở tần số quang chặt chẽ, cho phép cường độ ánh sáng giảm mạnh ở các vùng khoảng cách tối. Kết quả là, các đường và khoảng trống dày đặc 1:1 có thể được phân giải một cách đối xứng đến 0,5 μm mà không bị cặn hoặc bắc cầu.
3. MA TRẬN LỰA CHỌN KỸ THUẬT: DÒNG HÌNH ẢNH KHÔNG MẶT NẠ CÔNG NGHỆ TUYỆT VỜI
Nice-Tech sản xuất bốn mẫu in thạch bản không mặt nạ chuyên dụng, mỗi mẫu được thiết kế cho các lĩnh vực sản xuất và cấu hình hình học cụ thể. Bảng dưới đây phác thảo các thông số kỹ thuật chính thức:
=================================================================================================================
Model CD (Bị cô lập) Dòng/Không gian tối thiểu (1:1) Tiêu điểm phòng sạch miền quang chính
=================================================================================================================
MLM 100 0.8 μm 1,0 μm Cân bằng cao-DOF Viết trực tiếp R&D chung, MEMS, Vi lỏng
MLM 200 0.4 μm 0,8 μm Fine-Spot Sub-Micron Delivery GaN/GaAs RF, Power HEMT, Ống dẫn sóng
MLM 400 1.0μm 2,0 μm Wide-Trường cao-Điện trở dày của động cơ thông lượng, RDL đóng gói, IC nguồn
MLM 500 0.5 μm 0,5 μm Cao-Công cụ tương phản đối xứng NA Lưới quang dày đặc, MEA, Tinh thể
=================================================================================================================
3.1 Đẹp-Tech MLM 100: Công cụ phòng sạch (CD: 0,8 μm|L/S: 1,0 μm)
MLM 100 được thiết kế làm xương sống linh hoạt cho-các trung tâm chế tạo nano của trường đại học dành cho nhiều người dùng, phòng thí nghiệm R&D công nghiệp và cơ sở nguyên mẫu MEMS.
• Cấu hình hình học: Giải quyết đáng tin cậy các đặc điểm biệt lập có kích thước xuống tới 0,8 μm và các đường tuần hoàn dày đặc xuống tới 1,0 μm.
• Đặc tính quang học: Hoạt động với khẩu độ số quang học được tối ưu hóa cho phạm vi xử lý rộng. Nó cung cấp Độ sâu lấy nét cao (DOF thường > 5 μm đến 10 μm tùy thuộc vào độ dày điện trở), giúp nó bỏ qua địa hình bề mặt chất nền và cung wafer nhẹ.
• Khả năng tương thích quy trình: Tương thích với các chất quang dẫn novolac dòng i-line / h{1}}dương tiêu chuẩn (chẳng hạn như AZ 1500, AZ 4562, dòng Shipley S1800) và điện trở âm (SU-8, KMPR).
• Ứng dụng điển hình: Kênh dòng chảy vi lỏng, vi mạch y sinh, máy đo gia tốc đúc hẫng, bộ cộng hưởng âm thanh và cấu trúc kiểm tra mức-bánh bán dẫn tiêu chuẩn.
• Đề xuất mua sắm: Chọn MLM 100 nếu phòng sạch của bạn xử lý các dự án đa dạng, xử lý độ dày điện trở vừa phải (1,5 μm đến 5 μm) và không yêu cầu kích thước tính năng dưới -nửa{4}}micron.
3.2 Tốt-Tech MLM 200: Độ chính xác cho thiết bị Sub{3}}Micron (CD: 0,4 μm|L/S: 0,8 μm)
MLM 200 được thiết kế nhằm mục đích-cho các phòng sạch sản xuất các thiết bị-tần số cao, chất bán dẫn phức hợp và quang điện tử chính xác trong đó các tính năng cách ly dưới{{3} micron micron là tối quan trọng.
• Cấu hình hình học: Đạt được kích thước tới hạn 0,4 μm đối với các đường dây, cổng và dải tiếp xúc cách ly, với khả năng đường dây/không gian dày đặc ở mức 0,8 μm.
• Đặc điểm quang học: Sử dụng quang học tạo tia-chuyên dụng và kiểm soát liều tiếp xúc chính xác để làm sắc nét độ tương phản của cạnh trên các cấu trúc biệt lập.
• Khả năng tương thích quy trình: Hoạt động đặc biệt với chất cản quang mỏng, có độ tương phản cao-(độ dày 0,5 μm đến 1,2 μm) chẳng hạn như AZ 6112, AZ 703 hoặc SPR 700. Yêu cầu kiểm soát lấy nét chặt chẽ hơn MLM 100.
• Các ứng dụng điển hình: Tạo khuôn mẫu cổng T và cổng nấm cho các thiết bị HEMT Gallium Nitride (GaN) và Gallium Arsenide (GaAs), bộ tách sóng quang-tốc độ cao, định tuyến ống dẫn sóng quang học và các cấu trúc nâng kim loại cách ly dưới micron-.
• Đề xuất mua sắm: Chọn MLM 200 nếu quy trình của bạn yêu cầu tạo mẫu các cổng hoặc đường cách ly quan trọng trong khoảng từ 0,4 μm đến 0,8 μm mà không yêu cầu các dãy tuần hoàn dày đặc dưới 0,8 μm.
3.3 Đẹp-Tech MLM 400: Cao-Thông lượng & Dày-Khả năng chống xử lý (CD: 1,0 μm|L/S: 2,0 μm)
MLM 400 được thiết kế riêng cho các cơ sở ưu tiên thông lượng phơi sáng, xử lý vùng-lớn và khả năng tương thích với các chất cản quang siêu{2}}dày.
• Cấu hình hình học: Được cấu hình cho CD cách ly 1,0 μm và dòng/khoảng trống tối thiểu 2,0 μm.
• Đặc điểm quang học: Sử dụng trường chiếu quang học lớn hơn và chuỗi quang học có-độ sâu-tiêu điểm{2}}cao. DOF mở rộng (thường > 20 μm đến 50 μm ở điện trở dày) đảm bảo ánh sáng xuyên qua sâu qua màng dày mà không làm giảm góc bên của thành bên.
• Lợi thế về thông lượng: Vì mỗi khung quang học bao phủ vùng phơi sáng rộng hơn nên thời gian ghi trên tấm bán dẫn nhanh hơn đáng kể so với các công cụ có độ phân giải cao. Việc phơi sáng toàn bộ tấm bán dẫn 100 mm hoặc 150 mm trên MLM 400 có thể được hoàn thành trong một khoảng thời gian ngắn mà các hệ thống{{5}micron phụ yêu cầu.
• Khả năng tương thích quy trình: Lý tưởng cho chất cản quang phim dày-(10 μm đến 100 μm SU-8, AZ 4562, AZ 9260, polymide, BCB).
• Ứng dụng điển hình: Lớp phân phối lại đóng gói nâng cao (RDL), đóng gói quy mô chip cấp độ wafer (WLCSP), thanh cái bán dẫn công suất cao-, khuôn chính vi lỏng, khuôn mạ điện dày và MEMS gia công vi mô số lượng lớn.
• Đề xuất mua sắm: Chọn MLM 400 nếu các đặc điểm của bạn Lớn hơn hoặc bằng 1,0 μm, quy trình của bạn sử dụng lớp phủ chống dày hoặc thông lượng wafer cao là ưu tiên thương mại chính của bạn.
3.4 Đẹp-Tech MLM 500: Độ phân giải mật độ cao đối xứng-(CD: 0,5 μm|L/S: 0,5 μm)
MLM 500 là hệ thống hàng đầu của Nice{1}}Tech dành cho việc chế tạo cảm biến định kỳ vi mô, quang học, quang tử và dày đặc theo yêu cầu.
• Cấu hình hình học: Cung cấp CD tách biệt 0,5 μm cân bằng cùng với khoảng cách dòng/khoảng cách 1:1 dày đặc 0,5 μm (bước cách tử đầy đủ 1,0 μm).
• Đặc điểm quang học: Kết hợp quang học chiếu NA-cao với khả năng điều chế gương vi mô kỹ thuật số tiên tiến và phép nội suy cạnh pixel phụ-. Hệ thống này triệt tiêu các thùy bên nhiễu xạ-và ngăn chặn sự tích tụ ánh sáng lạc trong các rãnh hẹp.
• Khả năng tương thích quy trình: Yêu cầu kiểm soát nhiệt độ phòng sạch nghiêm ngặt (±0,5 độ ) và độ tương phản mỏng,-cao (0,3 μm đến 0,8 μm).
• Các ứng dụng điển hình: Cách tử nhiễu xạ vi mô phụ, siêu vật liệu quang học, ống dẫn sóng tinh thể quang tử, bộ chuyển đổi sóng âm bề mặt dày đặc (SAW), bộ cảm biến sinh học đan xen và mảng vi điện cực (MEA).
• Khuyến nghị mua sắm: Chọn MLM 500 nếu kiến trúc thiết bị của bạn phụ thuộc nhiều vào các cấu trúc định kỳ dày đặc, được đóng gói chặt chẽ ở quy mô nửa{1}}micron.
4. TẮT THƯƠNG MẠI KỸ THUẬT PHÁT SINH-: TỐC ĐỘ, DOF VÀ CĂNG CHỈNH
Khi lựa chọn giữa MLM 100, 200, 400 và 500, các kỹ sư cũng phải xem xét ba thông số phụ quan trọng ảnh hưởng trực tiếp đến hoạt động phòng sạch hàng ngày:
4.1 Tốc độ phơi sáng (Thông lượng) so với Độ phân giải
Trong bất kỳ công cụ-ghi in thạch bản trực tiếp nào, đều có sự cân bằng-vật lý cơ bản giữa tốc độ phơi sáng và độ phân giải quang học:
• Độ phân giải tốt (như trong MLM 200 và MLM 500) yêu cầu kích thước pixel chiếu nhỏ hơn và độ phóng đại cao hơn, nghĩa là có ít milimét vuông tấm bán dẫn được phơi sáng mỗi giây đối với công suất nguồn sáng nhất định.
• Độ phân giải thoải mái (như trong MLM 400) sử dụng các điểm ảnh được chiếu lớn hơn, bao phủ các vùng phơi sáng lớn hơn trên mỗi đèn flash kỹ thuật số và tăng đáng kể thông lượng tấm bán dẫn.
Nguyên tắc nhỏ: Không bao giờ mua độ phân giải cao hơn kiến trúc thiết bị của bạn yêu cầu. Nếu đường kim loại chặt nhất của bạn là 2,5 μm, việc chọn công cụ 0,4 μm sẽ kéo dài thời gian phơi sáng một cách không cần thiết từ vài phút đến hàng giờ trên mỗi tấm bán dẫn.
4.2 Độ sâu tiêu điểm (DOF) và độ dày chống lại
Phương trình độ sâu tiêu điểm Rayleigh chi phối tất cả các hệ thống chiếu:
DOF=k₂ × λ / (NA)²
Lưu ý rằng DOF giảm theo bình phương của Khẩu độ số. Thấu kính NA cao-cần thiết cho độ phân giải dưới-nửa-micron mang lại độ sâu tiêu cự hẹp (thường < 1,5 μm). Nếu một kỹ sư cố gắng quay một điện trở SU{8}}8 dày 15 μm trên một công cụ có NA cao thì phần trên của điện trở có thể được lấy nét trong khi phần dưới bị mờ nghiêm trọng, tạo ra các đường cắt dưới hoặc thành bên nghiêng.
• For thick resists (>10 μm): MLM 400 cung cấp độ sâu tiêu cự cần thiết.
• Đối với điện trở tiêu chuẩn (1,5 μm đến 5 μm): MLM 100 cung cấp sự cân bằng tối ưu giữa độ phân giải và DOF.
• Dành cho điện trở siêu mỏng (< 1.0 μm): The MLM 200 and MLM 500 excel at fine line delineation.
4.3 Căn chỉnh lớp-đến-lớp và độ chính xác của lớp phủ
Một công cụ in thạch bản hiếm khi hoạt động độc lập; nó tạo các lớp trên các cấu trúc được khắc hoặc kim loại hóa trước đó.
• Căn chỉnh quang học phía trên: Tất cả các mẫu-Tech MLM của Nice đều có camera thị giác-có độ phân giải cao-có khả năng nhận dạng dấu chuẩn tự động, đạt được độ chính xác của lớp-đến-lớp phủ thường trong phạm vi ±0,5 μm đến ±0,2 μm.
• Căn chỉnh mặt sau: Cần thiết cho MEMS thông qua-các khoang bán dẫn, cảm biến áp suất và vias của thiết bị điện. Hỏi về cấu hình camera quang truyền hồng ngoại (IR) hoặc-phía dưới nếu quy trình của bạn yêu cầu đăng ký hai mặt.
4.4 Tính linh hoạt của chất nền và lợi thế không cần mặt nạ
Không giống như các bộ điều chỉnh tiếp xúc cứng nhắc hoặc các bước giảm yêu cầu các chất nền phẳng, wafer{0}}được tiêu chuẩn hóa, các hệ thống không cần mặt nạ Nice-Tech cung cấp khả năng tương thích với các chất nền phổ biến:
• Kích thước bề mặt: Tấm wafer đầy đủ (2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch và 12 inch) cũng như các mảnh khuôn cắt không đều (xuống tới 5 mm × 5 mm).
• Vật liệu nền: Silicon tiêu chuẩn, silica nung chảy trong suốt, thạch anh, thủy tinh, gali nitrit (GaN), cacbua silic (SiC), gali arsenua (GaAs), lithium niobate và chất nền polyme dẻo.
• Tự động lấy nét động: Tính năng theo dõi bề mặt quang học theo thời gian thực-tự động bù đắp cho lỗi cung và nêm của chất nền, đảm bảo tiêu điểm nhất quán trên các tấm bán dẫn hỗn hợp bị biến dạng.
5. KIỂM TRA MẪU wafer & XÁC MINH ĐO LƯỜNG SEM
Trước khi hoàn tất việc mua thiết bị vốn, người mua kỹ thuật không bao giờ nên chỉ dựa vào các bảng thông số kỹ thuật đã được công bố. Điều kiện phòng sạch, công thức chống chịu và hóa chất trợ dung rất khác nhau giữa các cơ sở.
Nice{0}}Tech đặc biệt khuyến khích khách hàng tiềm năng tiến hành Thử nghiệm tiếp xúc với tấm wafer mẫu trước khi đưa ra Đơn đặt hàng. Quy trình xác minh phải đánh giá năm thông số đo lường cốt lõi bằng Kính hiển vi điện tử quét (SEM):
1. Tính đồng nhất kích thước tới hạn (CDU 3σ): Đo CD mục tiêu trên tối thiểu 20 điểm trên tấm bán dẫn (giữa, giữa, cạnh) để đảm bảo phương sai kích thước nằm trong khoảng ±5%.
2. Khoảng trống đường kẻ dày đặc/khoảng cách không gian: Xác minh thông qua SEM-mặt cắt ngang để đảm bảo rằng các rãnh 1:1 dày đặc không có cặn,-cầu nối vi mô hoặc chân sóng-đứng.
3. Góc thành bên: Xác nhận rằng cấu hình thành bên của chất cảm quang vượt quá 85 độ (hoặc phù hợp với yêu cầu quy trình của bạn, chẳng hạn như cấu hình cắt xén ngược để nâng{2}}tắt).
4. Độ nhám của cạnh đường (LER) & Độ nhám của chiều rộng đường (LWR): Kiểm tra các ảnh SEM có độ phóng đại cao-từ trên xuống{2}} để xác minh các cạnh của đường trơn, rất quan trọng đối với hiện tượng mất ống dẫn sóng quang tử và hiệu suất cổng RF.
5. Độ chính xác của lớp phủ: Tạo mẫu thang đo vernier thử nghiệm trên lớp căn chỉnh hiện có-để xác minh khả năng lặp lại đăng ký trên toàn bộ diện tích chất nền.
6. DANH MỤC KIỂM TRA TRƯỚC KHI MUA SẮM: CẦN CHUẨN BỊ NHỮNG GÌ TRƯỚC KHI YÊU CẦU BÁO GIÁ
Để nhận được báo giá chính xác, phù hợp và cấu hình thiết bị từ Nice-Các nhóm kỹ thuật, mua sắm và xử lý công nghệ của Nice nên chuẩn bị danh sách kiểm tra kỹ thuật sau:
[ 1 ] . Đặc điểm kỹ thuật của chất nền mục tiêu:
• Chất liệu: Silicon, Quartz, Sapphire, GaN, SiC, Glass hoặc loại khác.
• Định dạng: Đường kính wafer (ví dụ: 4 inch, 6 inch, 8 inch) hoặc chip cắt nhỏ (ví dụ: 10 mm × 10 mm).
• Tình trạng bề mặt: Được đánh bóng, mạ kim loại, trong suốt hoặc cong (ghi rõ độ cong tính bằng micromet).
[ 2 ] . Yêu cầu về hình học đặc trưng:
• Kích thước tới hạn tối thiểu (đường cách ly, cổng hoặc lỗ tiếp xúc).
• Dòng/Khoảng cách tối thiểu (yêu cầu cao độ mảng dày đặc).
• Dung sai lớp tới hạn (ví dụ: CD mục tiêu ± 5%).
[ 3 ] . Quá trình quang điện:
• Loại chất cản quang: Âm, dương hoặc kép.
• Tên chất quang dẫn: (ví dụ: AZ 5214E, SU-8 2010, Shipley S1813).
• Độ dày màng mục tiêu: (ví dụ: 0,8 μm, 2,5 μm, 25 μm).
[ 4 ] . Yêu cầu căn chỉnh và phân lớp:
• Hiển thị một lớp hoặc đăng ký nhiều{0}}lớp.
• Phương pháp căn chỉnh: Quang học mặt trên hoặc hồng ngoại mặt sau (IR).
• Độ chính xác của lớp phủ mục tiêu: (ví dụ: < 0,5 μm).
[ 5 ] . Thông lượng và khối lượng sản xuất:
• Khối lượng wafer dự kiến: (ví dụ: 5 wafer/tuần cho R&D so với. 50 wafer/ngày để sản xuất thử nghiệm).
• Yêu cầu tự động hóa: Tải chất nền thủ công hoặc xử lý băng cassette bán tự động.
[ 6 ] . Định dạng dữ liệu bố cục:
• Các file thiết kế tiêu chuẩn sẵn sàng: GDSII, OASIS, DXF, hoặc CIF.
7. KẾT LUẬN & CÁC BƯỚC TIẾP THEO: HỢP TÁC VỚI NICE-TECH
Việc chọn hệ thống in thạch bản không mặt nạ phù hợp đòi hỏi phải cân bằng CD riêng biệt, khoảng cách/đường kẻ dày đặc, độ sâu tiêu điểm, độ dày điện trở và tốc độ sản xuất.
• Nếu phòng sạch của bạn cần một công cụ R&D toàn diện, MLM 100 mang lại tính linh hoạt và tốc độ xử lý chưa từng có.
• Nếu trọng tâm của bạn là các tính năng cách ly micro-micron dành cho RF và thiết bị điện tử công suất thì MLM 200 cung cấp độ chính xác CD 0,4 μm.
• Nếu cơ sở của bạn xử lý các vật cản dày, đóng gói tiên tiến hoặc yêu cầu công suất tối đa thì MLM 400 là tiêu chuẩn ngành.
• Nếu ứng dụng của bạn yêu cầu các mảng định kỳ, cách tử hoặc cấu trúc quang tử dày đặc 0,5 μm dày đặc 0,5 μm, thì MLM 500 mang lại sự xuất sắc về quang học đối xứng.
Bạn đã sẵn sàng đánh giá thiết kế của mình trên Hệ thống in thạch bản không mặt nạ công nghệ-Nice chưa?
Hãy truy cập trang sản phẩm chính thức của Nice-Tech để khám phá thông số kỹ thuật chi tiết của máy:
Liên hệ với Nhóm Kỹ thuật Ứng dụng Cấp cao của chúng tôi tại dmjsemi.com để gửi mẫu thử nghiệm CAD/GDSII của bạn để kiểm tra phép đo wafer mẫu miễn phí và kiểm tra đo lường SEM. Chúng tôi sẽ định cấu hình đề xuất thiết bị được thiết kế riêng cho lộ trình ngân sách và kỹ thuật của phòng sạch của bạn.
